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高速信号回流路径设计里的SDRAM辐射干扰对策

发布时间:2022-08-09 16:26:56 人气: 来源:

有些应用是外置的SDRAM的STM使用客户反映他们的产品EMC在测试中,存在原因SDRAM信号导致过度辐射干扰的问题。在终端设备中,如果不能使用外壳屏蔽辐射干扰,那么这类问题往往需要根据修改SDRAM信号的PCB设计解决。

这儿对于SDRAM的PCB运用设计中如何改善辐射干扰问题做一个简要的介绍,抛砖引玉,供参考。

设计里的SDRAM辐射干扰对策

SDRAM由于其工作频率较高,具有陡峭的上升和下降边缘,因此在PCB在设计中,要按照高速信号传输线来处理其信号走线,一般要注意以下基本原则:

1.维持SDRAM信号的完整性

SDRAM信号帧的丢失将进一步扩大信号的辐射频带,从而导致更严重的辐射问题PCB设计、外包和绘画必须注意SDRAM信号完整性设计。

建议使用4层或更多层板SDRAM信号的特性阻抗控制在50欧母,通孔尽量减少SDRAM应用于总线,保持阻抗的连续性,减少阻抗不连续引起的信号反射;

SDRAM信号走线间隔应遵循3W原则上,两条线路中心之间的间距应尽可能保持至少三倍的线距,这样可以减少因信号间扰而造成的信号失帧;

尽量使SDRAM靠近MCU,减少MCU到SDRAM信号行走长度(一般不超过120(mm);

2.保持最少SDRAM信号回流路径

针对双层PCB一般来说,高速信号的回流方式是其走线在参考平面上的投影。PCB在设计中,应注意保持其参考平面的完整性和连续性。如果信号回流通道因信号层更换或电源层分割而断开,则必须通过改进层更换电容/层更换地面通孔和电源平面跨接电容来保证SDRAM信号回流途径最少。

3.将SDRAM信号(尤其是时钟信号)分布在PCB的里层

在SDRAM在信号中,时钟信号具有最强的辐射电平,可以通过将时钟信号信号中PCB通过表层铜泊屏蔽来减少其辐射。

针对STM32的FMC同时有接口插件SDRAM和FLASH设计,因为SDRAM和FLASH共享了一些MCU引脚进一步增强了其复杂的走线拓扑结构SDRAM建议信号的辐射干扰SDRAM和FLASH尽可能的布线PCB同时在内层PCB这些信号屏蔽这些信号。

4.维持SDRAM尽可能远离其他信号/电缆

其他较长的线路或电缆可以用作天线,以连接莲花SDRAM辐射信号被推出,所以应该是PCB将他们安排在避开SDRAM如有必要,信号区域可以将磁珠或过滤器衰减放置在这些接线或电缆连接端SDRAM辐射信号。

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